BSO051N03MS G参数：MOSFET N-CH 30V 14A DSO-8
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductDiscontinuation26/Jul/2012标准包装：2,500系列：OptiMOS™包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：14A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：5.1毫欧@18A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：55nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：4300pF@15V功率-最大值：1.56W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）供应商器件封装：PG-DSO-8
